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J-GLOBAL ID：200903041709214911

薄膜作成装置

Inventor： 西野 仁 ,  多田 進一 ,  森川 茂 ,  井上 直樹 ,  藤井 隆満
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996169515
Publication number (International publication number)：1998018042
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】結合エネルギーが大きく、励起・解離が困難な化合物を原料として使用した場合であっても目的とする材料を形成することが可能であって、従来の薄膜作成装置では作成することができなかった組成を有する薄膜の作成を可能とする薄膜作成装置を提供する。【解決手段】化学的気相蒸着(CVD)法であるプラズマCVDと光CVDを同時に行うことを可能とする薄膜作成装置であって、原料供給手段、基板保持手段、光源と前記光源より発生した光を成膜室内に導入する窓、並びにプラズマ発生手段を構成要素として含め、薄膜作成装置を構成する。

Claim (excerpt)：

プラズマCVDと光CVDを同時に行うことにより薄膜が作成可能な薄膜作成装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/31

FI (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 堆積膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-198000   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭63-121665
  
• 特開昭63-303071
  
• 特開昭63-121665
  
• 特開昭63-303071