有機半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner： , , , ,
Agent (2)：稲岡耕作 , 川崎実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003197434
Publication number (International publication number)：2005038631
Application date： Jul. 15, 2003
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：

【課題】多様なデバイスを実現可能な有機半導体装置を提供する。【解決手段】基板2の上にはゲート電極3が形成されており、ゲート電極3の上には絶縁体層4が形成されている。絶縁体層4の上には、基板2に平行な方向に間隔を開けて配置された電子注入電極5および正孔注入電極6が形成されている。ゲート電極3は、電子注入電極5および正孔注入電極6の間の領域を含む領域に対向して設けられている。電子注入電極5および正孔注入電極6の上ならびに電子注入電極5と正孔注入電極6との間には、有機半導体層7が形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に形成された有機半導体層と、第1の電極材料からなり、上記有機半導体層に電子を注入する電子注入電極と、上記第1の電極材料よりも仕事関数が高い第2の電極材料からなり、上記有機半導体層に正孔を注入する正孔注入電極とを含み、上記電子注入電極および正孔注入電極が、上記基板に平行な方向に間隔を開けて配置されていることを特徴とする有機半導体装置。

IPC (2)：

H05B33/14 , H05B33/10

FI (2)：

H05B33/14 A , H05B33/10

F-Term (6)：

3K007AB05 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007CC04 , 3K007DB03 , 3K007FA00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

有機電界発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-320948 Applicant：三洋電機株式会社
膜パターンの形成方法、膜パターン、半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-362743 Applicant：セイコーエプソン株式会社
有機電界発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-095424 Applicant：三菱化学株式会社

Show all

Return to Previous Page