膜パターンの形成方法、膜パターン、半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上柳雅誉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001362743
Publication number (International publication number)：2003162058
Application date： Nov. 28, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】光分解性に優れた分子膜を用いて効率良く分子膜パターンを形成する。【解決手段】下記の式(14)で示される化学構造を有する化合物を原料として分子膜12を形成した後、この分子膜12にフォトマスク13を介して、波長308nmの紫外光を照射する。【化26】

Claim (excerpt)：

ケイ素(Si)-ケイ素結合、ケイ素-ゲルマニウム(Ge)結合、ケイ素-スズ(Sn)結合、ゲルマニウム-スズ結合、およびスズ-スズ結合からなる群から選択された少なくとも1つの光反応性結合と、芳香族炭化水素部と、を含む化合物を原料として、膜を形成する工程と、前記工程で形成された膜の少なくとも一部分に、前記光反応性結合に反応を生じさせる所定波長の光を照射する工程と、を有することを特徴とする膜パターンの形成方法。

IPC (7)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 521 , G03F 7/075 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (7)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 521 , G03F 7/075 , H05B 33/10 , H05B 33/14 A , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 618 B

F-Term (40)：

2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AD03 , 2H025BF30 , 2H025BH03 , 2H025EA06 , 2H025FA03 , 2H025FA39 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007CB01 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 3K007GA04 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE41 , 5F110FF01 , 5F110FF21 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG41 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK31 , 5F110HL02 , 5F110HL21 , 5F110HM04 , 5F110NN02 , 5F110NN27 , 5F110QQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

金属パターンの形成方法及び金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-118120 Applicant：ソニー株式会社
特開平1-096222
薄膜パターン形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-239671 Applicant：日本ペイント株式会社

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