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J-GLOBAL ID:200903041718786901

多目的基板処理装置およびその動作方法および薄膜集積回路の作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993291268
Publication number (International publication number):1995122621
Application date: Oct. 26, 1993
Publication date: May. 12, 1995
Summary:
【要約】【目的】 基板上に薄膜を形成したり、形成した薄膜に対してアニールを行ったりする各種処理を機密性を保ったままで連続的に行う。【構成】 基板を搬送するためのロボットアーム108を備えた搬送室107と、該搬送室を介して連結された複数の処理室(チャンバー)103〜106を備え、搬送室を介して基板109を各処理室に搬入搬出することで、必要とする処理を機密性を保持した状態で連続して行う。
Claim (excerpt):
複数の減圧可能な処理室を有し、前記複数の処理室は減圧可能な共通室を介して連結されており、前記共通室には各処理室間において基板を搬送するための手段を有し、ていることを特徴とする多目的基板処理装置。
IPC (6):
H01L 21/68 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324
FI (2):
H01L 21/26 L ,  H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-044058
  • 特開昭63-252439
  • 半導体装置とその作製方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-038637   Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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