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J-GLOBAL ID：200903041766117795

GaN薄膜の形成方法

Inventor： 田中 悟 ,  岩井 荘八 ,  青柳 克信
Applicant, Patent owner： 理化学研究所
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996045405
Publication number (International publication number)：1997219540
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】SiC基板上にバッファー層としてAlN薄膜を介してGaN薄膜を形成する際に、GaN薄膜中の転位密度を大幅に低減させる。【解決手段】SiC基板上にバッファー層としてAlN薄膜を介してGaN薄膜を形成するGaN薄膜の形成方法において、上記AlN薄膜の厚さを4.6nm以下にする。

Claim (excerpt)：

SiC基板上にバッファー層としてAlN薄膜を介してGaN薄膜を形成するGaN薄膜の形成方法において、前記AlN薄膜の厚さを4.6nm以下にすることを特徴とするGaN薄膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-223330
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-013393   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-223330