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J-GLOBAL ID:200903041821788530

複合材料及びその製造方法並びに半導体素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中島 淳 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998226176
Publication number (International publication number):1999262655
Application date: Aug. 10, 1998
Publication date: Sep. 28, 1999
Summary:
【要約】【課題】 光学素子材料、光導電性材料、光触媒、光半導体などの幅広い分野で利用可能な複合材料の製造方法の提供。【解決手段】 互いに異なる化合物A、化合物B、化合物Cによる各単分子膜をこの順に基材上に累積してなる複合材料の製造方法であって、該化合物Bと結合可能な官能基を有する該化合物Aと該基材とを、該化合物A及び該化合物Cと結合可能な官能基を有する該化合物Bと該化合物Aとを、及び、該化合物Bと結合可能な官能基を少なくとも一つ有する該化合物Cと該化合物Bとを、結合させることを特徴とする複合材料の製造方法である。化合物Aが、R1 M1 Y13、R1 R2 M1 Y12、R1 R2 R3 M1 Y1 、R1 -SH又はR1m Zn である態様が好ましい。
Claim (excerpt):
互いに異なる化合物A、化合物B、化合物Cによる各単分子膜をこの順に基材上に累積してなる複合材料の製造方法であって、該化合物Bと結合可能な官能基を有する該化合物Aと該基材とを、該化合物A及び該化合物Cと結合可能な官能基を有する該化合物Bと該化合物Aとを、及び、該化合物Bと結合可能な官能基を少なくとも一つ有する該化合物Cと該化合物Bとを、結合させることを特徴とする複合材料の製造方法。
IPC (4):
B01J 19/00 ,  B32B 9/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 51/00
FI (5):
B01J 19/00 M ,  B32B 9/00 Z ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/312 M ,  H01L 29/28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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