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J-GLOBAL ID：200903041825405600

半導体装置の製造方法

Inventor： 石田 芳弘 ,  飯沼 芳夫 ,  加藤 俊夫 ,  佐藤 哲夫
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995230818
Publication number (International publication number)：1997082756
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 信頼性及び生産性の優れた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 回路基板1の一方の面にIC接続用電極3と他方の面に外部接続用電極4を形成し、ICチップ5に半田ボール6にて半田バンプ7を形成し、該半田バンプ7にフラックス12を塗布して前記IC接続用電極3にICチップ5を仮固定すると共に、前記半田ボール6と半田組成が同質の半田ボール電極10を構成する半田ボール9にフラックス12を塗布して、前記外部接続用電極4に仮固定し、一回のリフロー工程で、ICチップ5の接続と半田ボール電極10の形成を行い、封止樹脂8でサイドモールドしてBGA13を製造する。【効果】 リフロー工程が一回のためICに熱衝撃が少なく、電子回路動作が安定し、且つ製造コストが低下する。

Claim (excerpt)：

IC接続用電極と外部接続用電極とを形成した回路基板の前記IC接続用電極にICチップを半田により接続すると共に、前記外部接続用電極に半田ボール電極を形成してなる半導体装置の製造方法において、前記IC接続用電極に対するICチップの接続と、前記外部接続用電極に対する半田ボール電極の形成とを、一回のリフロー工程により行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321 ,  H01L 23/12

FI (3)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 A ,  H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 基板上にソルダを形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-283024   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション