半導体製造装置のガス供給装置およびその供給方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995161632
Publication number (International publication number)：1997017734
Application date： Jun. 28, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【目的】本発明は、枚葉処理を行うCVD成膜装置において、短時間の処理での材料ガスの供給を制御性良く行い得、処理の制御性を改善できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、半導体基板11上に100nm厚のポリシリコン膜を成膜するのに必要な100ccのSiH4 ガスをガスシリンダ20から取り出し、圧力調整弁19およびバルブ18を介して容器17内に充填する。この容器17内に蓄えたSiH4 ガスを、開度調整バルブ16を開いて処理室12に供給する。このとき、圧力計21の出力をもとにコントローラ23によって開度調整器22を制御し、上記容器17内のガス圧力の変化率が成膜時間内において一定となるように上記開度調整バルブ16の開度をコントロールする構成となっている。

Claim (excerpt)：

半導体製造装置の処理室に処理用の材料ガスを供給するガス供給装置において、少なくとも1枚の半導体基板の処理に必要な一定量の前記材料ガスを蓄える容器と、この容器内の前記材料ガスの圧力を計測する圧力計とを具備し、前記容器内に蓄えられた前記材料ガスを前記処理室に供給することを特徴とする半導体製造装置のガス供給装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , C23F 4/00 Z , H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-307892
特開平1-302822
特開平3-219091

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