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J-GLOBAL ID:200903041911759644
イオン照射装置及び方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
玉蟲 久五郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992084904
Publication number (International publication number):1993251029
Application date: Mar. 06, 1992
Publication date: Sep. 28, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 狙った部位にイオン1個又は制御された所定数イオンを精度良く照射するシングルイオン又は制御された所定数イオン照射を可能とする。【構成】 イオンマイクロプローブと、これより発生されたマイクロイオンビームを偏向する偏向板3および電界制御回路16と、偏向されたマイクロイオンビームから所定数のイオンを抽出するためのマイクロスリット8と、イオンを照射する試料28を装着する試料保持機構と、試料表面をリアルタイムに観察するSEM機構を含み試料表面に照射されたイオンによって発生される2次電子を検出する検出系とからなるイオン照射装置において、マイクロイオンビームの偏向方向がマイクロスリットに対して瞬間的に反転されチョップされることによりマイクロスリットから所定数のイオンを抽出、或いは、1個〜任意数の制御されたイオンを抽出する。
Claim (excerpt):
イオンマイクロプローブと、前記イオンマイクロプローブより発生されたマイクロイオンビームと、前記マイクロイオンビームを偏向する偏向板と、前記偏向板により前記マイクロイオンビームを偏向する電界制御回路と、前記偏向されたマイクロイオンビームから所定数のイオンを抽出するためのスリットと、前記イオンを照射する試料を装着する試料保持機構と、前記試料表面をリアルタイムに観察するSEM機構を含み前記試料表面に照射されたイオンによって発生される2次電子を検出する検出系とからなるイオン照射装置において、前記マイクロイオンビームの偏向方向が前記スリットに対して瞬間的に反転されチョップされることにより前記スリットから所定数のイオンを抽出することを特徴とするイオン照射装置。
IPC (6):
H01J 37/28
, G21H 5/00
, G21K 1/04
, G21K 1/087
, G21K 5/04
, H01J 27/02
Patent cited by the Patent:
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