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J-GLOBAL ID：200903041934163684
歪量子井戸半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
箕浦 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992353406
Publication number (International publication number)：1994204600
Application date： Dec. 11, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【構成】 InP基板上(1)に光を発生する量子井戸層と障壁層とからなる活性層(4′)と、これを上下から挟んで光を閉じ込める光閉じ込め層(3)(5)とを少なくとも有する歪量子井戸半導体レーザにおいて、活性層を構成する量子井戸層(4a)としてInAs<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(0<y≦1)層を用い、障壁層(4c)あるいは光閉じ込め層としてIn<SB>1-x </SB>Ga<SB>x </SB>P(0<x≦1)層を用いたことを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。【効果】 歪量子井戸半導体レーザの低しきい値電流動作を維持しつつ、該レーザのしきい値電流の温度特性及び高周波特性を大きく改善することができ、高品質の半導体レーザが得られる。
Claim (excerpt)：
InP基板上に、光を発生する量子井戸層と障壁層とからなる活性層と、これを上下から挟んで光を閉じ込める光閉じ込め層とを少なくとも有する歪量子井戸半導体レーザにおいて、活性層を構成する量子井戸層としてInAs<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(0<y≦1)層を用い、障壁層あるいは光閉じ込め層としてIn<SB>1-x </SB>Ga<SB>x </SB>P(0<x≦1)層を用いたことを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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