Pat
J-GLOBAL ID：200903012472569523

化合物半導体単結晶エピタキシャル基板および該基板よりなる半導体レーザ素子

Inventor：
山本 ▲みつ▼夫

About 山本 ▲みつ▼夫

, 
山本 知生

About 山本 知生

, 
中野 純一

About 中野 純一


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992240606
Publication number (International publication number)：1994090062
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】 InP単結晶基板上に、エピタキシャル成長法により形成した多重量子井戸構造を有した特性の優れた長波長帯半導体レーザ用単結晶エピタキシャル基板を提供する。【構成】 多重量子井戸構造の井戸層としてInAsy P1-y 三元混晶を用い、井戸層数に応じて、障壁層を基板の格子定数と整合させるか、より小さな格子定数を持たせたIn1-x Gax Asy P1-y 混合から構成するか、障壁層を多層のIn1-x Gax Asy P1-y 混晶から構成し、基板から井戸層間ではバンドギャップを基板から井戸層へ徐々に小さくし、井戸層からクラッド層間ではバンドギャップを井戸層からクラッド層へ徐々に大きくした。
Claim (excerpt)：
燐化インジウム(InP)単結晶基板に井戸層および障壁層を交互に積層して形成した量子井戸構造を有し、前記量子井戸を構成する障壁層が前記単結晶基板を構成する燐化インジウム単結晶に格子整合したIn1-x Gax Asy P1-y 四元混晶より構成されるとともに、井戸層がInAsy P1-y 三元混晶より構成されていることを特徴とする化合物半導体単結晶エピタキシャル基板。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM