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J-GLOBAL ID：200903041938562087

有機EL素子およびその製造方法

Inventor： 古川 顕治 ,  泉澤 勇昇 ,  小池 俊弘
Applicant, Patent owner： チッソ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998297893
Publication number (International publication number)：2000123978
Application date： Oct. 20, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】陽極の段差に起因する発光のにじみ、クロスト-ク、陰極の断線を改善した有機EL素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】透明基板の上にITO膜を形成し、ホトレジストマスクを用いてエッチングにより帯状の陽極を間隔をおいて平行に複数個形成する。次いでホトレジストマスクを残したまま、絶縁膜を前記陽極と陽極の間の間隙に陽極の厚さと同じ厚さに被着し、ホトレジストマスクをその上の絶縁膜と共に除去する。これにより陽極と絶縁膜とが交互に並んだ平坦面が得られ、陽極による段差がなくなる。陽極と絶縁膜の上に正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を順次堆積する。電子注入輸送層の表面の陰極形成予定領域に開口をを有するマスクを用いて、導体を蒸着して陰極を形成する。全表面を絶縁膜で被覆して有機EL素子にする。

Claim (excerpt)：

透明基板の片側表面に間隔をおいて平行に複数個設けられた帯状の透明導体の陽極と、該陽極と陽極との間の間隔を埋める絶縁膜と、該陽極及び絶縁膜の表面に設けられた発光層を含む有機多層膜と、該有機多層膜の表面に前記陽極とは直角方向に間隔をおいて平行に複数個設けられた帯状の陰極とを備えたことを特徴とする有機EL素子。

IPC (4)：

H05B 33/22 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (4)：

H05B 33/22 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z

F-Term (12)：

3K007AB05 ,  3K007AB08 ,  3K007AB17 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EA04 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 有機EL素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-033365   Applicant：北陸電気工業株式会社
• 特開昭57-185607