多結晶半導体膜の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鳥居洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994181378
Publication number (International publication number)：1996045837
Application date： Aug. 02, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】この発明は、基板からの不純物の拡散を抑制するバッファ層のクラック等の発生を抑制し、電界効果移動度が高い多結晶半導体膜を製造する方法を提供することを目的とする。【構成】この発明は、絶縁性基板1にSiO2 膜2を堆積し、その表面にSiONx 層3を形成し、このSiONx 層3上に非晶質半導体層4を形成した後、高エネルギービーム11を照射し、非晶質半導体層を再結晶化して多結晶半導体膜5を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上にSiONx 層を形成し、このSiONx 層上に非晶質半導体層を形成した後、高エネルギービームを照射し、上記非晶質半導体層を再結晶化して多結晶半導体膜を形成することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭59-132120
特開平3-004564
特開昭1-185917

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