半導体装置およびその作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994151698
Publication number (International publication number)：1995335900
Application date： Jun. 09, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】活性層内の水素がゲイト絶縁膜中に拡散しない構成を実現する。【構成】活性層103の周囲をSiOx Ny で示される薄膜で覆い、活性層103中の水素がゲイト絶縁膜104に拡散することを防止する。

Claim (excerpt)：

珪素膜で構成された活性層と、該活性層上に形成されたゲイト絶縁膜と、を有し、前記ゲイト絶縁膜は酸化珪素膜であり、前記活性層と前記ゲイト絶縁膜との間にはSiOx Ny で示される薄膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開平4-111361
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-344269 Applicant：シャープ株式会社
特開昭59-182517

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