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J-GLOBAL ID：200903042049132050

半導体電子デバイス及び半導体電子デバイスの製造方法

Inventor：
中井 昭暢

About 中井 昭暢

, 
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003350469
Publication number (International publication number)：2005116858
Application date： Oct. 09, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
【課題】 電極のコンタクト層を選択成長により形成しない半導体電子デバイスについて、電極のコンタクト抵抗の小さいものを提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも窒化物系化合物半導体層と電極を有する半導体電子デバイスにおいて、前記窒化物系半導体層の少なくとも表面の一部を含む領域は不純物が添加されバンドギャップエネルギーが前記領域以外の該窒化物系半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さくなっており、かつ前記電極は該領域に接する状態であることを特徴とする半導体電子デバイス。また、窒化物系化合物半導体層はAlxGa1-xN(0≦x<1)、不純物はIn,As,P,Sbのうち少なくとも一種類を含むことを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくとも窒化物系化合物半導体層と電極を有する半導体電子デバイスにおいて、前記窒化物系半導体層の少なくとも表面の一部を含む領域は不純物が添加されバンドギャップエネルギーが前記領域以外の該窒化物系半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さくなっており、かつ前記電極は該領域に接する状態であることを特徴とする半導体電子デバイス。
IPC (6)：
H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/812
FI (4)：
H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G
F-Term (22)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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