半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996146563
Publication number (International publication number)：1997307097
Application date： May. 16, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】実効的にGaN層に対して電極を低接触抵抗でオーミック接触させる。【解決手段】 GaN MESFETにおいて、チャネル層としてのn型GaN層13上にn型GaInNコンタクト層14を介してソース電極17およびドレイン電極18を設け、n型GaInNコンタクト層14にオーミック接触させる。n型GaInNコンタクト層14は、MOCVD法によりn型GaN層13上に選択成長させる。

Claim (excerpt)：

GaN層と、上記GaN層上の、上記GaN層と電気的に接続された電極とを有する半導体装置において、上記GaN層と上記電極との間に、少なくともGa、InおよびNを含む半導体層が設けられ、上記半導体層に上記電極がオーミック接触していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/43 , H01L 21/28 301 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3)：

H01L 29/46 H , H01L 21/28 301 H , H01L 29/80 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

3-5族化合物半導体用電極材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-030068 Applicant：住友化学工業株式会社
3-5族化合物半導体用電極材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-073442 Applicant：住友化学工業株式会社
特開昭62-115879

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