Pat

J-GLOBAL ID：200903042097162824

放熱用絶縁基板及び半導体装置

Inventor： 西堀 弘 ,  篠原 利彰 ,  永田 広信
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000225292
Publication number (International publication number)：2002043457
Application date： Jul. 26, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 絶縁基板下の半田材でのボイドの残留を低減することができ、絶縁基材又は半田材に生じる熱ストレスを抑制することができる、安価な放熱用絶縁基板を提供する。【解決手段】 絶縁基板6においては、アルミナ又は窒化アルミニウムからなる絶縁基材2のおもて面に、銅箔からなる回路側導体層3がロウ付けされ、絶縁基材2の裏面に、銅箔からなる裏面導体層4がロウ付けされている。ここで、回路側導体層3の厚みt1と裏面導体層4厚みt2とは等しく、かつ両導体層3、4の厚みt1、t2と絶縁基材2の厚みTとの比率t1/T、t2/Tが0.3以上かつ0.5以下の範囲内に設定され、これにより、絶縁基板6下の半田材でのボイドの残留が低減され、絶縁基材6又は半田材に生じる熱ストレスが抑制され、かつその製造コストが低減されるようになっている。

Claim (excerpt)：

板状の絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の広がり面に固着された、半導体素子との接合用の第1の導体層と、前記絶縁基材の他方の広がり面に固着された、ヒートシンクとして機能する金属板との接合用の第2の導体層とを備えている放熱用絶縁基板であって、前記第1の導体層の厚みt1と前記絶縁基材の厚みTとの比率t1/Tと、前記第2の導体層の厚みt2と前記絶縁基材の厚みTとの比率t2/Tとが、それぞれ、0.3以上かつ0.5以下の範囲内に設定されていることを特徴とする放熱用絶縁基板。

IPC (4)：

H01L 23/12 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 7/20

FI (5)：

H05K 1/02 D ,  H05K 1/02 F ,  H05K 1/03 610 E ,  H05K 7/20 B ,  H01L 23/12 J

F-Term (11)：

5E322AA11 ,  5E322AB02 ,  5E322AB09 ,  5E338AA02 ,  5E338AA18 ,  5E338BB71 ,  5E338CC01 ,  5E338CD11 ,  5E338CD23 ,  5E338EE02 ,  5E338EE28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-209756
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-318550   Applicant：株式会社東芝