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J-GLOBAL ID：200903042102837657

加速度センサ及び加速度センサの製造方法

Inventor： 吉田 仁 ,  友成 恵昭
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995040786
Publication number (International publication number)：1996274349
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 加速度センサの感度及び歩留りの向上を図る。【構成】 第1導電型半導体基板11に支持された梁22の裏面の、梁22と重り部25の接続部を除く所定領域に、犠牲層であるレジスタパターン23を形成する工程と、梁22と重り部25の接続部の周辺のレジスタパターン23の表面及び側面に、金属薄膜24を形成する工程と、その金属薄膜24の表面に金属メッキを施す工程と、レジスタパターン23を除去する工程とを備えた。【効果】 電解エッチングにより梁22を形成することにより、歩留りが向上し、重り部25を金属で構成したことにより、感度の向上が図れる。

Claim (excerpt)：

基板と、その基板上に形成された梁と、その梁の一方の面に固着された重り部とを備えた、加速度センサの製造方法であって、前記基板に支持された前記梁の一方の面の、少なくとも前記梁と前記重り部の接続部を除く所定領域に犠牲層を形成する工程と、前記梁と前記重り部の接続部の周辺の前記犠牲層の表面及び側面に、金属薄膜を形成する工程と、その金属薄膜の表面に金属メッキを施す工程と、前記犠牲層を除去する工程とを備えたことを特徴とする、加速度センサの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12

FI (2)：

H01L 29/84 A ,  G01P 15/12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 微細構造体の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-253342   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭62-248264
  

Cited by examiner (2)

• 微細構造体の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-253342   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭62-248264