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J-GLOBAL ID：200903042126218460

ナノインプリントレジスト

Inventor： スピエス,バルター ,  北 文雄 ,  マイアー,ミヒヤエル ,  ギアー,アンドレアス ,  メンニヒ,マルテイン ,  オリベイラ,ペーター・ベエー ,  シユミツト,ヘルムート
Applicant, Patent owner： クラリアント・ゲーエムベーハー
Agent (5)： 川口 義雄 ,  一入 章夫 ,  小野 誠 ,  大崎 勝真 ,  坪倉 道明
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003584817
Publication number (International publication number)：2005527110
Application date： Apr. 09, 2003
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：

本発明は、優れた縦横比で高解像度(≦200nm)をもたらし、一方フォトリソグラフィ法より有意に安価な電子部品を微細構造化する方法に関する。本発明の方法は、i)請求項1に記載のナノコンポジット組成物の平面で未硬化のゾル被膜を作製するステップと、ii)ボトムコートbおよび支持体cからなる標的基板を作製するステップと、iii)ステップi)で得られたゾル被膜材料を、微細構造化された転写エンボシングスタンプによりステップii)で得られたボトムコートbに付着させるステップと、iv)付着されたゾル被膜材料を硬化するステップと、v)転写エンボシングスタンプを引き離し、それによりトップコートaとしてエンボスされ微細構造を得るステップとを含む。微細構造化された半導体材料を製造する方法は以下の追加の、vi)好ましくはCHF3/O2プラズマを用いて、ナノコンポジットゾル被膜の残留層をエッチングするステップと、v)好ましくはO2プラズマを用いて、ボトムコートをエッチングするステップと、vi)半導体材料をエッチングするか、エッチングされた領域の半導体材料をドーピングするステップとを含む。

Claim (excerpt)：

半導体材料、フラットスクリーン、精密機械部品およびセンサの微細構造化用レジストとして、 a)一般式(I) SiX4 (I) (式中、基Xは同一、または異なり、加水分解性基またはヒドロキシル基である) および/または 一般式(II) R1aR2bSiX(4-a-b) (II) (式中、R1は非加水分解性基であり、R2は官能基を有する基であり、Xは上記の意味を有し、aおよびbは値0、1、2または3を有し、合計(a+b)は値1、2または3を有する) の重合性シラン、および/またはそれらから誘導された縮合物、 ならびに、 b)酸化物類、硫化物類、セレン化物類、テルル化物類、ハロゲン化物類、炭化物類、ヒ化物類、アンチモン化物類、窒化物類、リン化物類、炭酸塩類、カルボン酸塩類、リン酸塩類、硫酸塩類、ケイ酸塩類、チタン酸塩類、ジルコン酸塩類、アルミン酸塩類、スズ酸塩類、鉛酸塩類およびこれらの混合酸化物からなる群から選択されるナノスケール粒子 を含むナノコンポジット組成物の使用。

IPC (3)：

H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3065

FI (3)：

H01L21/30 502D ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/302 104Z

F-Term (8)：

2H097AA20 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004DB24 ,  5F004EA01 ,  5F004EA04 ,  5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• チキソトロピック層をエンボスすることによって微細構造化表面レリーフを製造するための方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-551628   Applicant：インスティトゥートフィアノイエマテリアーリエンゲマインニュッツィゲゲゼルシャフトミットベシュレンクタハフトゥンク