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J-GLOBAL ID：200903042137685604

シリコンウェハのウェット処理方法

Inventor： 榛原 照男 ,  森 良弘
Applicant, Patent owner： ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
Agent (4)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007241474
Publication number (International publication number)：2008103701
Application date： Sep. 18, 2007
Publication date： May. 01, 2008
Summary：

【課題】シリコンウェハのウェット処理方法を提供する。【解決手段】シリコンウェハをウェット処理する方法において、マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする。【効果】ウェハ表面の有機物成分、パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となる。さらに洗浄におけるエッチング速度を自在に制御することが可能となる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

シリコンウェハをウェット処理する方法において、マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする、シリコンウェハのウェット処理方法。

IPC (1)：

H01L 21/304

FI (2)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 647B

F-Term (33)：

5F157AA03 ,  5F157AA08 ,  5F157AA28 ,  5F157AA42 ,  5F157AA70 ,  5F157AA72 ,  5F157AA73 ,  5F157AA82 ,  5F157AC01 ,  5F157BB01 ,  5F157BB11 ,  5F157BB73 ,  5F157BB74 ,  5F157BB79 ,  5F157BC52 ,  5F157BC53 ,  5F157BD22 ,  5F157BD25 ,  5F157BD26 ,  5F157BD28 ,  5F157BD33 ,  5F157BD34 ,  5F157BD35 ,  5F157BD36 ,  5F157BE12 ,  5F157BE22 ,  5F157BE33 ,  5F157CE04 ,  5F157CE31 ,  5F157CE36 ,  5F157CF10 ,  5F157DB11 ,  5F157DB18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 基板処理装置およびパーティクル除去方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-372960   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社