半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：土屋勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996153430
Publication number (International publication number)：1997320989
Application date： May. 24, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】不純物領域の表面部に金属化合物膜を形成しても、不純物領域の細線効果を抑制、防止して、微細で且つ動作速度の速い半導体装置を製造する。【解決手段】 Si基板31及び多結晶Si膜36にリンを導入して、Si基板31に拡散層44を形成する共に多結晶Si膜36をN+ 型にした後、拡散層44及び多結晶Si膜36の表面部とTi膜45とを反応させてTiSix 膜46を形成する。不純物としてリンを用いると、TiSix 膜46を形成しても、拡散層44や多結晶Si膜36の細線効果を抑制、防止して、これらのシート抵抗の上昇を防止することができる。

Claim (excerpt)：

半導体領域にリンを導入して不純物領域を形成する工程と、前記不純物領域の表面部と金属とを反応させて前記表面部に金属化合物膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/265 , H01L 21/3205 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (5)：

H01L 21/28 301 T , H01L 21/265 Q , H01L 21/88 Q , H01L 27/08 321 B , H01L 27/08 321 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-083970 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-136679 Applicant：日本電気株式会社

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