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J-GLOBAL ID：200903042162738925

半導体装置、半導体装置の評価解析方法及び半導体装置の加工装置

Inventor：
北畑 秀樹

About 北畑 秀樹


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001116647
Publication number (International publication number)：2002189000
Application date： Apr. 16, 2001
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：
【要約】【課題】 裏面解析における分解能を安定的に向上させると共に、微細化の進む半導体装置の解析及び評価を確実かつ容易にする。【解決手段】 半導体基板表面1aに集積回路が形成された半導体装置に対し、半導体基板裏面1bの所望箇所を加工して半導体半球1cを形成する。この半導体半球1cを固体浸レンズとして高分解能の裏面解析を行う。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面に集積回路が形成された半導体装置において、前記半導体基板の裏面の一部に、半球状の凸部を半導体基板と一体的に形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
G01N 21/956 ,  H01L 21/66
FI (3)：
G01N 21/956 A ,  H01L 21/66 C ,  H01L 21/66 N
F-Term (16)：
2G051AA51 ,  2G051AB07 ,  2G051AC02 ,  2G051BA06 ,  2G051BA10 ,  2G051BB03 ,  2G051BB09 ,  2G051CA04 ,  2G051CB05 ,  2G051DA07 ,  4M106AA01 ,  4M106BA08 ,  4M106CA38 ,  4M106DH13 ,  4M106DH31 ,  4M106DH38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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