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J-GLOBAL ID：200903042217330866

半導体装置の製造方法

Inventor：
橋本 武司

About 橋本 武司


Applicant, Patent owner：
株式会社巴川製紙所

About 株式会社巴川製紙所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997102397
Publication number (International publication number)：1998284517
Application date： Apr. 07, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【目的】本発明は、放熱板付きリードフレームを使用した樹脂封止型半導体装置を1回の硬化工程で製造することが可能で、半導体装置の製造工程の簡略化、コストダウンに有用な製造方法を提供する。【構成】本発明の製造方法は、(1)放熱板とリードフレームとを第1の熱硬化性接着剤を介して仮接着する工程、(2)放熱板の一面に第2の熱硬化性接着剤を介して半導体チップをマウントする工程、(3)硬化後の該第1の熱硬化性接着剤の動的弾性率の最小値が150°C〜250°Cの範囲において10MPa以上10GPa未満となるように、第1の熱硬化性接着剤と第2の熱硬化性接着剤の硬化処理を同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
(1)放熱板とリードフレームとを第1の熱硬化性接着剤を介して仮接着する工程、(2)放熱板の一面に第2の熱硬化性接着剤を介して半導体チップをマウントする工程、(3)硬化後の該第1の熱硬化性接着剤の動的弾性率の最小値が150°C〜250°Cの範囲において10MPa以上10GPa未満となるように、第1の熱硬化性接着剤と第2の熱硬化性接着剤の硬化処理を同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/52 ,  C09J 5/00 ,  C09J 7/00 ,  C09J 7/02 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/50
FI (7)：
H01L 21/52 E ,  H01L 21/52 B ,  C09J 5/00 ,  C09J 7/00 ,  C09J 7/02 Z ,  H01L 23/50 F ,  H01L 23/36 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-186910   Applicant：株式会社日立製作所, 日立米沢電子株式会社
  • ICパッケージ構造
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-221285   Applicant：日立電線株式会社
  • 特開昭55-134951
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