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J-GLOBAL ID:200903042289145478

超低汚損スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料ならびに関連する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2008527925
Publication number (International publication number):2009508542
Application date: Jul. 25, 2006
Publication date: Mar. 05, 2009
Summary:
超低汚損スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料、スルホベタインおよびカルボキシベタイン材料で被覆した超低汚損表面および表面を作製する方法、および超低汚損表面を有する装置。1つの実施形態において、本発明は、スルホベタインまたはカルボキシベタイン材料の単分子層を含む表面を有する基材を提供する。この基材は、前記表面が約1nm2より大きな欠陥を有さず、約30ng/cm2未満のフィブリノゲン吸着を有する。別の実施形態において、本発明は、低汚損表面を作製するための方法を提供する。この方法は、(a)基材表面にラジカル開始剤を末端に持つ単分子層を形成すること;および(b)ラジカル開始剤を末端に持つ単分子層上で、スルホベタインまたはカルボキシベタインであるモノマーを重合することを含む。
Claim (excerpt):
スルホベタインまたはカルボキシベタイン材料の単分子層を含む表面を有する基材であって、前記表面が約1nm2より大きな欠陥を有さず、約30ng/cm2未満のフィブリノゲン吸着を有する、前記基材。
IPC (21):
A61L 27/00 ,  A61M 1/00 ,  A61F 2/00 ,  A61F 2/24 ,  A61F 2/30 ,  A61F 2/06 ,  A61F 2/14 ,  A61M 1/12 ,  A61F 2/82 ,  A61F 9/007 ,  G02C 7/04 ,  A61K 47/32 ,  C09D 201/00 ,  C09D 7/12 ,  C09D 5/16 ,  C09D 133/14 ,  C09D 153/00 ,  C09D 171/02 ,  C08F 293/00 ,  C08F 20/36 ,  C08F 20/38
FI (21):
A61L27/00 W ,  A61M1/00 510 ,  A61F2/00 ,  A61F2/24 ,  A61F2/30 ,  A61F2/06 ,  A61F2/14 ,  A61M1/12 ,  A61M29/02 ,  A61F9/00 560 ,  G02C7/04 ,  A61K47/32 ,  C09D201/00 ,  C09D7/12 ,  C09D5/16 ,  C09D133/14 ,  C09D153/00 ,  C09D171/02 ,  C08F293/00 ,  C08F20/36 ,  C08F20/38
F-Term (113):
2H006BB10 ,  4C076AA09 ,  4C076EE03 ,  4C076EE08A ,  4C076EE10A ,  4C076EE13A ,  4C076EE14A ,  4C076EE22 ,  4C076EE24 ,  4C076EE26 ,  4C076EE27 ,  4C076EE45A ,  4C076EE49A ,  4C076FF02 ,  4C077AA04 ,  4C077AA16 ,  4C077AA19 ,  4C077AA26 ,  4C077DD01 ,  4C077EE01 ,  4C077EE02 ,  4C077EE04 ,  4C077FF04 ,  4C077KK04 ,  4C077KK21 ,  4C077PP04 ,  4C077PP10 ,  4C077PP13 ,  4C077PP18 ,  4C077PP26 ,  4C077PP28 ,  4C081AB00 ,  4C081BA02 ,  4C081BB09 ,  4C081BC02 ,  4C081CA022 ,  4C081CA061 ,  4C081CA081 ,  4C081CA101 ,  4C081CA162 ,  4C081CA181 ,  4C081CA212 ,  4C081CA272 ,  4C081CA281 ,  4C081CC02 ,  4C081CC04 ,  4C081CC05 ,  4C081DA06 ,  4C081DA12 ,  4C081DB07 ,  4C081DC04 ,  4C081DC05 ,  4C081EA02 ,  4C081EA03 ,  4C081EA05 ,  4C081EA06 ,  4C097AA03 ,  4C097AA15 ,  4C097AA24 ,  4C097AA27 ,  4C097BB01 ,  4C097CC03 ,  4C097DD01 ,  4C097EE03 ,  4C097EE11 ,  4C097FF03 ,  4C097FF04 ,  4C097MM04 ,  4C167AA50 ,  4C167BB13 ,  4C167CC08 ,  4C167FF05 ,  4C167GG02 ,  4C167GG06 ,  4C167GG07 ,  4C167GG16 ,  4C167HH02 ,  4C167HH08 ,  4J026HA45 ,  4J026HB11 ,  4J026HB29 ,  4J026HB32 ,  4J026HB38 ,  4J026HB44 ,  4J026HB45 ,  4J026HB46 ,  4J026HB47 ,  4J026HE01 ,  4J038CG132 ,  4J038CG172 ,  4J038CH192 ,  4J038CH262 ,  4J038CQ002 ,  4J038DF022 ,  4J038KA15 ,  4J038NA05 ,  4J038PB07 ,  4J100AL08P ,  4J100BA17P ,  4J100BA32P ,  4J100BA56P ,  4J100CA01 ,  4J100CA23 ,  4J100CA27 ,  4J100DA71 ,  4J100EA03 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GC02 ,  4J100JA01 ,  4J100JA28 ,  4J100JA51 ,  4J100JA53
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Cited by examiner (4)
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