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J-GLOBAL ID：200903042289374620

半導体装置,及びその製造方法

Inventor： マルクス ディートハード ,  川津 善平 ,  早藤 紀生
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995321725
Publication number (International publication number)：1997162125
Application date： Dec. 11, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 Si基板上に高品質なGaN系化合物半導体層が形成された半導体装置を提供する。【解決手段】 Si基板1と、Si基板1上に形成された、GaAs又はAsからなるストレス吸収層2と、ストレス吸収層2上に形成された、組成がAlx Ga1-x-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)である化合物からなるバッファ層3と、バッファ層3上に形成された、組成がAlx Ga1-x-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)である化合物半導体層4とを備えたものである。

Claim (excerpt)：

Si基板と、該Si基板上に形成された、GaAsからなるストレス吸収層と、該ストレス吸収層上に形成された、組成がAlx Ga1-x-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)である化合物からなるバッファ層と、該バッファ層上に形成された、組成がAlx Ga1-x-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)である化合物半導体層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体薄膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-114166   Applicant：富士電機株式会社
• 窒化物薄膜単結晶及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-137228   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特表平6-508000