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J-GLOBAL ID：200903042337537928

オゾン接触槽とその制御方法

Inventor：
津倉 洋

About 津倉 洋


Applicant, Patent owner：
株式会社明電舎

About 株式会社明電舎


Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996108983
Publication number (International publication number)：1997290280
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 被処理水に対するオゾンガスの吸収効率を高め、コストの低廉化がはかれる上、経時的な吸収効率低下現象が生じないオゾン接触槽とその制御方法を提供することを目的とする。【解決手段】 複数段の反応室1a,1bを有する上下迂流式のオゾン接触槽1と、上記各反応室内に縦型に配置されて、オゾン発生装置7で得られたオゾンガスと被処理水20とが加圧渦流ポンプ16、流量制御弁26,26及び流量計29を介して流入して下降流として落下する第1の下方注入管21a及び第2の下方注入管21bと、オゾン接触槽1の底壁に対向する部位の各下方注入管21aと21bの先端開口部近傍に形成された管内圧力調整用の急縮部22とを備えてなることを特徴とするオゾン接触槽とその制御方法を提供する。
Claim (excerpt)：
被処理水が滞留しながら流通可能な縦型のオゾン接触槽と、該オゾン接触槽に送り込まれる被処理水の流入部に配備され、オゾン発生装置で得られたオゾンガスと被処理水とを気液混合する加圧渦流ポンプ及び被処理水の流入水量調整用の可変速器と、オゾン接触槽の上部から内部に挿入配置されて、被処理水が下降流として落下する下方注入管と、オゾン接触槽の底壁に対向する部位の下方注入管の先端開口部近傍に形成された管内圧力調整用の急縮部とを備えてなることを特徴とするオゾン接触槽。
IPC (4)：
C02F 1/78 ZAB ,  B01F 1/00 ,  B01F 5/00 ,  C02F 1/24
FI (5)：
C02F 1/78 ZAB ,  B01F 1/00 A ,  B01F 5/00 Z ,  C02F 1/24 A ,  C02F 1/24 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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