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J-GLOBAL ID：200903042370969248
エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
諸田 英二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994059965
Publication number (International publication number)：1995242730
Application date： Mar. 05, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：
【要約】【構成】 本発明は、(A)エポキシ樹脂としてテトラメチルビスグリシジルオキシジフェニル、(B)次の一般式で示されるフェノール樹脂、(C)無機質充填剤および(D)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(C)の無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有するエポキシ樹脂組成物、またこのエポキシ樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップが封止された半導体封止装置である。【効果】 本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置は、耐湿性、半田耐熱性に優れ、吸湿による影響が少なく、電極の腐蝕による断線や水分によるリーク電流の発生等を著しく低減することができ、しかも長期間にわたって信頼性を保証することができる。
Claim (excerpt)：
(A)次の一般式で示されるエポキシ樹脂、【化1】(B)次の一般式で示されるフェノール樹脂【化2】(但し、式中R1 はCj H2j+1基を、R2 はCk H2k+1基をそれぞれ表し、各基におけるj およびk 並びにn は 0又は 1以上の整数を表す)(C)無機質充填剤および(D)硬化促進剤を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(C)の無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
IPC (4)：
C08G 59/20 NHQ
, C08G 59/62 NJR
, H01L 23/29
, H01L 23/31
Cited by examiner (9)
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