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J-GLOBAL ID：200903042375430320
多孔質熱電半導体及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996195970
Publication number (International publication number)：1998041556
Application date： Jul. 25, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 空隙率を任意に調整できる多孔質熱電半導体及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 温度差により熱を直接電気に変換する熱電半導体を製造する方法において、多孔質を有する有機物質又は加熱処理により多孔質を有する有機物質と熱電半導体原料スラリーを混合成形し、焼結時に多孔質を有する有機物質又は加熱処理により多孔質を有する有機物質を除去することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
温度差により熱を直接電気に変換する熱電半導体において、多孔質を有する有機物質又は加熱処理により多孔質を有する有機物質と熱電半導体原料スラリーを混合成形し、焼結時に多孔質を有する有機物質又は加熱処理により多孔質を有する有機物質を除去することで得られることを特徴とする多孔質熱電半導体。
IPC (4)：
H01L 35/34
, C04B 38/06
, H01L 35/14
, B22F 3/11
H01L 35/34
, C04B 38/06 E
, H01L 35/14
, B22F 5/00 101 B
Cited by examiner (6)
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