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J-GLOBAL ID：200903042451875426

撮像装置

Inventor： 金野 晃 ,  鈴木 公平 ,  池田 光志 ,  熱田 昌己 ,  田中 学 ,  坂口 卓弥
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998344424
Publication number (International publication number)：1999331703
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ダイナミックレンジが大きく複数の撮像モードに対応することができる撮像装置を提供する。【解決手段】 光電変換素子を備えた画素e(i,j)がマトリクスアレイ状に配設され、各画素内には透過光強度に応じた電荷を蓄積する容量102、および蓄積容量を制限する保護ダイオード103が配設されている。保護ダイオード103にはバイアス線Biasによりバイアス電圧が印加されている。バイアス電圧はフレーム周波数に応じてバイアス電圧制御系133により調節される。これにより保護ダイオード103のオフ時のリーク電流により容量102に蓄積する電荷の撮像への影響を低減し、フレーム周波数によらずS/N比の高い画像を得ることができる。

Claim (excerpt)：

マトリクス状に配設され、受光量に応じた電荷を蓄積する容量を備えた光電変換素子と、走査線に走査信号を供給する手段と、前記走査線と接続され、前記走査信号に基づいて前記容量に蓄積された電荷を信号線に出力する第1のスイッチング素子と、前記容量とバイアス線との間に介挿され、前記容量に蓄積された電荷が所定量より大きくなったときに、前記バイアス線と前記容量とを接続する第2のスイッチング素子とバイアス電位を前記受光量に応じて調節して前記バイアス線に印加する手段と、 を具備したことを特徴とする撮像装置。

IPC (3)：

H04N 5/32 ,  A61B 6/00 300 ,  H01L 27/146

FI (3)：

H04N 5/32 ,  A61B 6/00 300 S ,  H01L 27/14 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-355372   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 光センサ回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-083870   Applicant：ロックウェル・インターナショナル・コーポレイション