半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000232191
Publication number (International publication number)：2002050625
Application date： Jul. 31, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】パターン密度が疎な領域と密な領域とを有する半導体ウエハの主面上に均一な膜厚で窒化シリコン膜を堆積する。【解決手段】コールドウォール型の枚葉式熱CVD装置を使って、ゲート電極9A〜9Eのパターンが密な領域と疎な領域とを有する基板1上に窒化シリコン膜12を堆積する際、平坦な基板1上に窒化シリコン膜12を堆積する場合に比べてモノシラン(SiH4)に対するアンモニア(NH3)の流量比を大きくする。

Claim (excerpt)：

(a)シラン系ガスとアンモニアガスとを含む第1のソースガスを用いた熱CVD法によって、半導体基板の主面上に第1の窒化シリコン膜を堆積する工程と、(b)前記半導体基板の主面上に、パターン密度が疎な領域と密な領域とを有する複数の第1パターンを形成する工程と、(c)シラン系ガスとアンモニアガスとを含む第2のソースガスを用いた熱CVD法によって、前記複数の第1パターンが形成された前記半導体基板の主面上に第2の窒化シリコン膜を堆積する工程とを有し、前記第1のソースガスと前記第2のソースガスとは、前記シラン系ガスと前記アンモニアガスとの流量比が互いに異なることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/318 B , H01L 21/31 B , H01L 21/90 K , H01L 21/90 M

F-Term (52)：

5F033HH04 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033KK25 , 5F033MM07 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033XX35 , 5F045AB33 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD11 , 5F045AE25 , 5F045CA05 , 5F045CB05 , 5F045CB10 , 5F045DP03 , 5F045EJ04 , 5F045GB13 , 5F058BA09 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF55 , 5F058BH07 , 5F058BH11 , 5F058BH15 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F058BJ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-359463 Applicant：株式会社東芝

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