支持台を有する薄膜バルク音響共振器およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野由己男 , 稲積朋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004160537
Publication number (International publication number)：2004357306
Application date： May. 31, 2004
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】基板の誘電体の損失が小さく且つ共振特性及び歩留を向上することができる薄膜バルク音響共振器とその製造方法を提供する。【解決手段】支持構造物を有する圧電体を用いた薄膜バルク音響共振器(FBAR)が開示される。FBARは、基板の上面に信号ラインが形成され、基板から所定の距離隔てられるように二つの支持台およびビアを介して共振構造物410を形成する。ビアは共振器の下部電極と信号ラインとを電気的に接続する。また、信号ラインにインダクタパターンを形成し、ビアと信号ラインとの間にキャパシタを更に形成することができる。共振器が支持台により支えられるため、支持台により形成されたエアギャップにより共振器の駆動による基板の損失を防止することができることで共振特性を向上することができ、インダクタおよびキャパシタを介して共振周波数を調節することができるのみならず、インピーダンスの整合が容易になる。【選択図】図4B

Claim (excerpt)：

半導体基板と; 前記半導体基板の上面に形成された信号ラインと; 前記信号ラインに電気的に接続され、下部電極および上部電極、並びに前記下部電極と前記上部電極との間に形成された圧電薄膜を有する圧電共振構造物;および前記半導体基板の上面から所定の高さ隔てられて前記圧電共振構造物を支える少なくとも一つの支持台と; を含むことを特徴とする薄膜バルク音響共振器。

IPC (6)：

H03H9/17 , H01L41/08 , H01L41/22 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H9/05

FI (6)：

H03H9/17 F , H03H3/02 B , H03H9/02 K , H03H9/05 , H01L41/08 D , H01L41/22 Z

F-Term (6)：

5J108EE03 , 5J108FF13 , 5J108JJ02 , 5J108JJ04 , 5J108KK03 , 5J108MM04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開平2-309708
特開昭63-187714
特開平2-274114

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Cited by examiner (13)

特開平2-309708
特開昭63-187714
特開平2-274114

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