半導体電子デバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003313765
Publication number (International publication number)：2005085852
Application date： Sep. 05, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：

【課題】リーク電流を低減しピンチオフ特性に優れた高耐圧低オン抵抗で動作可能な窒化物系化合物半導体を用いた電子デバイスを提供することにある。【解決手段】窒化物系化合物半導体から成る電子デバイスの基板上にバンドギャップエネルギーの異なる薄いバッファ層を交互に複数積層し、バンドギャップエネルギーの異なるバッファ層の接触界面近傍のバンドギャップエネルギーの小さい方の層への2次元電子ガスの蓄積を抑えることによってリーク電流の発生を抑制することにより、ピンチオフ特性に優れた高耐圧低オン抵抗で動作可能な窒化物系化合物半導体を用いた電子デバイスを提供する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物半導体を用いた半導体電子デバイスにおいて、少なくとも基板と、バッファ層、電子走行層及び電子供給層から成る半導体積層構造と電極とを有し、前記バッファ層は、組成式 AlxInyGa1-x-yAsuPvN1-u-v(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1、0≦u<1、0≦v<1、u+v<1)から成る第1の層と、組成式 AlaInbGa1-a-bAscPdN1-c-d(0≦a≦1、0≦b≦1、a+b≦1、0≦c<1、0≦d<1、c+d<1)から成る第2の層を含み、かつ前記第1の層と前記第2の層はバンドギャップエネルギーが異なり、かつ前記バッファ層中の2次元電子ガス密度が5×1012cm-2以下であることを特徴とする半導体電子デバイス。

IPC (3)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (23)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102HC01 , 5F102HC24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248735 Applicant：サンケン電気株式会社

Cited by examiner (1)

低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-368566 Applicant：理化学研究所, 学校法人早稲田大学

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