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J-GLOBAL ID：200903043638674544

低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子

Inventor： 平山 秀樹 ,  青柳 克信 ,  平田 彰
Applicant, Patent owner： 理化学研究所 ,  学校法人 早稲田大学
Agent (1)： 上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000368566
Publication number (International publication number)：2002170776
Application date： Dec. 04, 2000
Publication date： Jun. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】簡単なプロセスにより短時間で形成可能であり、かつ、クラックの発生する恐れのない低転位バッファーを提供する。【解決手段】基板と上記基板上に素子構造を構成するために形成される素子材料としての窒化物半導体との間に形成する低転位バッファーにおいて、不純物をドーピング・レベルを超えた濃度で含有した窒化物半導体よりなる第1の層と不純物を含有していない窒化物半導体よりなる第2の層とを、基板上に交互に所定数積層して超格子構造を形成する。

Claim (excerpt)：

基板と前記基板上に素子構造を構成するために形成される素子材料としての窒化物半導体との間に形成する低転位バッファーにおいて、不純物をドーピング・レベルを超えた濃度で含有した窒化物半導体よりなる第1の層と不純物を含有していない窒化物半導体よりなる第2の層とを、基板上に交互に所定数積層して超格子構造を形成したものである低転位バッファー。

IPC (7)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/80 H

F-Term (51)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045EK03 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-311272   Applicant：日亜化学工業株式会社