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J-GLOBAL ID：200903042675009830

マイクロニードル構造及びその製造方法

Inventor： イェホシュア イェシュルン ,  メイア ヘフェツ ,  メイント デ ブール ,  ジェイ.ダブリュー. ベレンスコット ,  ジェイ.ジー.イー. ガーデニアーズ
Applicant, Patent owner： ナノパス リミテッド
Agent (1)： 清原 義博
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002522956
Publication number (International publication number)：2004507371
Application date： Aug. 28, 2001
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

基板から突出する複数の中空のマイクロニードルを形成するためにウエハーを加工する方法であり、ドライエッチング・プロセスの使用により、複数の陥凹形状の群を形成することを含み、各陥凹形状は、囲まれた領域を有する開かれた形状を形成するために配置された少なくとも1つの溝と、前記囲まれた領域内に位置する少なくとも1つの孔とを含む。その孔及び溝の内部表面は、その後保護層でコーティングされる。次に異方性ウェットエッチング・プロセスが前記囲まれた領域の外側から材料を除去するような方法で実行され、その一方で突出形状をそれぞれ前記囲まれた領域内に残す。次にその保護層はマイクロニードルを晒すために除去される。

Claim (excerpt)：

基板から突出する少なくとも1つの中空マイクロニードルを形成するためにウエハーを加工する方法であって、 (a)ドライエッチング・プロセスの使用により陥凹形状の少なくとも1つの群を形成するステップであって、各陥凹形状の群は、囲まれた領域を有する開いた形を形成するために配置された少なくとも1つの溝と、前記囲まれた領域内に位置する少なくとも1つの孔とを含む、前記ステップと、 (b)前記孔及び前記溝の内部表面を保護層でコーティングするステップと、 (c)前記各囲まれた領域内に突出形状を残す一方で、前記囲まれた領域の外側から材料を除去するような方法で異方性ウェットエッチング・プロセスを実行するステップと、 (d)前記保護層を除去するステップと、 を含む方法。

IPC (3)：

B81C1/00 ,  A61M5/32 ,  B81B1/00

FI (3)：

B81C1/00 ,  A61M5/32 ,  B81B1/00

F-Term (3)：

4C066FF03 ,  4C066KK01 ,  4C066PP01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 経角質薬物放出システム
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-506273   Applicant：ベーリンガーインゲルハイムコマンディトゲゼルシャフト
• 経皮システム
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-517292   Applicant：ノバルティスアクチェンゲゼルシャフト
• 半導体基板内に垂直な中空針を形成する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-549726   Applicant：ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・カリフォルニア
• 皮内用ミクロ針アレイ装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-501296   Applicant：ザプロクターアンドギャンブルカンパニー