大出力用半導体レーザ素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：碓氷裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996138540
Publication number (International publication number)：1997162488
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 P型電極としてCr/Pt/Au電極及びCr/Ni/Au電極の一方を採用し、熱に強く高い信頼性を有し、長期安定性のある電極構成を有する大出力用半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】ストライプ41が100μm以上の幅を有するようにN型基板10上にエピタキシャル層20を介し形成されたP型電極40を備えてなる大出力用半導体レーザ素子において、P型電極40が、Cr/Pt/Auからなる三層の電極により構成されている。

Claim (excerpt)：

ストライプ幅(41)が100μm以上であるP型電極(40)を備えてなる大出力用半導体レーザ素子において、前記P型電極が、Cr/Pt/Au及びCr/Ni/Auのうち、どちらか一方からなる三層の電極により構成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-088689
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-004518 Applicant：松下電子工業株式会社
特開平3-203284

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