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J-GLOBAL ID:200903042745214142
アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
田中 大輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001283306
Publication number (International publication number):2003089864
Application date: Sep. 18, 2001
Publication date: Mar. 28, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ITO膜と同程度の電極電位を有し、シリコンが拡散することなく、比抵抗が低く、耐熱性に優れたアルミニウム合金薄膜を提供することを目的とする。【解決手段】 炭素を含有したアルミニウム合金薄膜において、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも1種以上の元素を0.5〜7.0at%と、炭素を0.1〜3.0at%とを含有し、残部がアルミニウムであることを特徴するものとした。そして、更に0.5〜2.0at%のシリコンを更に含むアルミニウム合金薄膜とした。
Claim (excerpt):
炭素を含有したアルミニウム合金薄膜において、ニッケル、コバルト、鉄のうち少なくとも1種以上の元素を0.5〜7.0at%と、炭素を0.1〜3.0at%とを含有し、残部がアルミニウムであることを特徴するアルミニウム合金薄膜。
IPC (8):
C23C 14/14
, C22C 21/00
, C23C 14/34
, G02F 1/1343
, G02F 1/1368
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
FI (8):
C23C 14/14 B
, C22C 21/00 N
, C23C 14/34 A
, G02F 1/1343
, G02F 1/1368
, H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 L
, H01L 21/88 N
F-Term (28):
2H092HA06
, 2H092JA24
, 2H092KB04
, 2H092MA05
, 2H092NA28
, 4K029AA09
, 4K029BA23
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029DC04
, 4K029DC08
, 4M104BB02
, 4M104BB03
, 4M104BB38
, 4M104BB39
, 4M104DD40
, 4M104HH03
, 4M104HH16
, 5F033HH09
, 5F033HH10
, 5F033LL01
, 5F033LL02
, 5F033LL09
, 5F033PP15
, 5F033VV15
, 5F033WW04
, 5F033XX10
, 5F033XX16
Patent cited by the Patent: