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J-GLOBAL ID:200903053207072100

アルミニウム合金薄膜、ターゲット材及び薄膜形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡辺 望稔 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999146701
Publication number (International publication number):2000336447
Application date: May. 26, 1999
Publication date: Dec. 05, 2000
Summary:
【要約】【課題】300〜400°Cでの熱処理後にもヒロックの発生が無く、比抵抗が10μΩcm以下となる耐熱性・低抵抗アルミニウム合金薄膜を提供すること。【解決手段】合金成分としてアルミニウム、炭素及びマンガンを含み、炭素及びマンガンの含有量が、炭素の原子百分率をYat%、マンガンの原子百分率をXat%として、式3XY≧1、X≦2、Y≦1を満足する量であり、残部がアルミニウム及び不可避の不純物からなるアルミニウム合金薄膜、アルミニウム合金薄膜形成用スパッタリングターゲット材、及びアルミニウム合金薄膜の形成方法。
Claim (excerpt):
合金成分としてアルミニウム、炭素及びマンガンを含み、炭素及びマンガンの含有量が、炭素の原子百分率をYat%、マンガンの原子百分率をXat%として、式3XY≧1X≦2Y≦1を満足する量であり、残部がアルミニウム及び不可避の不純物からなることを特徴とするアルミニウム合金薄膜。
IPC (3):
C22C 21/00 ,  G02F 1/1343 ,  H05K 1/09
FI (3):
C22C 21/00 N ,  G02F 1/1343 ,  H05K 1/09 A
F-Term (16):
2H092HA06 ,  2H092MA05 ,  2H092NA16 ,  2H092NA25 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  4E351AA13 ,  4E351BB32 ,  4E351CC03 ,  4E351DD10 ,  4E351DD21 ,  4E351DD28 ,  4E351DD29 ,  4E351GG04 ,  4E351GG06 ,  4E351GG20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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