半導体膜の処理方法及び半導体装置の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：目次誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995216150
Publication number (International publication number)：1996330598
Application date： Aug. 24, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】多結晶シリコン膜を能動層とする半導体装置において、平坦な表面を有する多結晶シリコン膜、あるいは不純物である酸素の濃度の低い結晶欠陥の少ない多結晶シリコン膜を得るための半導体膜の処理方法あるいは製造方法を提供する。【解決手段】非晶質シリコン膜を形成した後、酸素元素を含んだガスを少なくとも含む雰囲気中で固相成長させ、あるいは溶融再結晶化法を用いて多結晶シリコン膜を形成する。あるいは、非晶質シリコン膜2を形成した後、ウエット酸素雰囲気下で熱処理を施し、多結晶シリコン膜3を形成する。

Claim (excerpt)：

水蒸気を含む雰囲気中で、半導体膜の表面を酸化させることを特徴とする、半導体膜の処理方法。

IPC (8)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316 , H01L 21/324 , H01L 27/10 371 , H01L 27/12 , H01L 27/146 , H01L 29/78

FI (7)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/316 S , H01L 21/324 Z , H01L 27/10 371 , H01L 27/12 R , H01L 27/14 C , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-107065 Applicant：シャープ株式会社
半導体膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-305610 Applicant：シャープ株式会社
特開昭63-304670

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