半導体装置作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994156514
Publication number (International publication number)：1995288329
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】薄膜珪素膜を用いた半導体装置の信頼性と特性を向上させる。【構成】ガラス基板11上に形成された珪素膜12に水素、フッ素、塩素から選ばれた少なくとも1種類の元素をイオン化して注入することにより、珪素膜12内の珪素の不対結合手を中和し、珪素膜12内における準位を低下させる。この珪素膜を用いてTFTを作製することで、特性の優れたTFTを得ることができる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に珪素半導体膜を形成する工程と、前記珪素半導体膜に水素、フッ素、塩素から選ばれた1種類以上の元素をイオン化して注入する工程と、前記珪素半導体膜を水素雰囲気、フッ素雰囲気、塩素雰囲気のいずれかの雰囲気、または、水素、フッ素、塩素のいずれかの気体を主成分とする雰囲気において加熱処理する工程と、を有する半導体装置作製方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/265 W , H01L 21/265 P

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平3-062526
特開平3-181119
薄膜半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-068328 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Cited by examiner (5)

特開平3-062526
特開平3-181119
薄膜半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-068328 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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