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J-GLOBAL ID：200903042778612852
電子デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238571
Publication number (International publication number)：1995094077
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 マイクロ電子技術をダイヤモンドに適用し、放出電流及び電流利得が増大すると共に、耐電圧または耐電流が増大する電子デバイスを提供する。【構成】 単結晶ダイヤモンドからなる基板1上には、高抵抗ダイヤモンドからなるi型層2、及び低抵抗ダイヤモンドからなるn型層3を順次積層して形成する。n型層は平滑な表面を有し、所定領域に凸状のエミッタ部が突出する。エミッタ部は範囲1〜10μm角の底部面積を有し、底部最小幅の1/10程度の高さを有する。ダイヤモンドは電子親和力が負でゼロに非常に近いため、伝導帯と真空準位との差が微小である。n型層ではn型ドーパントとして高濃度に窒素がドープされており、ドナー準位が縮退して伝導帯付近に存在しているので、電子の伝導として金属性伝導が支配的であり、エミッタ部の先端が微細でなくとも、小さい電界強度による電界放出で容易に真空中に電子が取り出される。
Claim (excerpt)：
真空容器内で電子を放出する電子デバイスにおいて、基板上に平滑な表面を有して形成されたn型ダイヤモンド層を備え、このn型ダイヤモンド層は、前記表面の所定領域に10μm角以内の底部面積を有するエミッタ部が該表面から突出して形成されていることを特徴とする電子デバイス。
Patent cited by the Patent：
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