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J-GLOBAL ID：200903042779980049

研磨方法、研磨装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 修三 ,  野上 毅 ,  高橋 新吾 ,  駒井 尚紀 ,  田井 香織 ,  堀越 浩 ,  大鳥居 英
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002129173
Publication number (International publication number)：2003311537
Application date： Apr. 30, 2002
Publication date： Nov. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 研磨終点まで安定した電流密度分布で被研磨対象に通電するとともに、従来通りのメッキ装置や洗浄装置等他の装置の使用や製造プロセスフローによる実施を可能とする。【解決手段】 電解液E中に金属膜2が形成された基板1と対向電極3とを所定の間隔をもって対向配置し、金属膜2に押接される通電電極4を金属膜2上に配設して金属膜2を電解研磨するとともに、この電解研磨と同時に、基板1を回転させながら、金属膜2上にパッドを摺動させてワイピングする。このとき電解研磨は、金属膜2に摺接する通電電極4で金属膜2に通電することにより行う。

Claim (excerpt)：

電解液中に金属膜が形成された基板と対向電極とを所定の間隔をもって対向配置し、通電電極を上記金属膜の端部に摺接させながら通電するとともに、上記金属膜表面を研磨パッドを摺動させることにより払拭することを特徴とする研磨方法。

F-Term (3)：

3C059AA02 ,  3C059GB03 ,  3C059GC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-056039   Applicant：ソニー株式会社
• 研磨方法、研磨装置、メッキ方法およびメッキ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-284260   Applicant：ソニー株式会社