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J-GLOBAL ID：200903042818640455

不揮発性半導体装置およびその製造方法

Inventor： 竹内 信善
Applicant, Patent owner： 日本鋼管株式会社
Agent (1)： 長谷川 和音
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995281999
Publication number (International publication number)：1996213572
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】異なる機能を支障なく発揮できる不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】メモリセルアレイは第1ブロックおよび第2ブロックに分割されている。第1ブロックの第1型メモリセル14において、フローティングゲート26の上に設けられたキャップ28は短く、第1型メモリセル14のゲートカップル比は小さく、マスクROM的な特性を有する。一方、第2ブロックの第2型メモリセルにおいてキャップは長く、第2型メモリセルのゲートカップル比は大きく、プログラム特性に優れている。

Claim (excerpt)：

複数のメモリセルが並べられたメモリセルアレイを有する不揮発性半導体メモリ装置であって、前記複数のメモリセルが異なるゲートカップル比を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-033649   Applicant：富士通株式会社
• 特開平3-228377
  
• 特開平3-228377