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J-GLOBAL ID：200903042832569313
薄膜形成法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088907
Publication number (International publication number)：1993287518
Application date： Apr. 09, 1992
Publication date： Nov. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 凹凸のある高密度集積回路のAl配線部のカバレッジが100%得られ、しかも、配線寿命はDCスパッタで形成した膜と同等の膜が得られる薄膜形成法及び装置を提供すること。【構成】 真空容器をア-スとし、タ-ゲットに負の電圧を、基板に正の高ピ-クのパルス電圧(電子)を印加し、Al膜を瞬時に流動させカバレッジを向上させること。
Claim (excerpt)：
真空容器をア-スとし、真空容器内に配設されたタ-ゲットに負の電圧を印加し、真空容器内に配設された基板に正の電圧を印加すると共に該基板の電圧をパルス化して膜形成することを特徴する薄膜形成法。
IPC (5)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
