半導体製造装置及びそのクリーニング方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994041335
Publication number (International publication number)：1995249585
Application date： Mar. 11, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体製造装置の処理容器内面に与えるダメージを抑え、かつ、付着した皮膜を短時間に除去することができるクリーニング技術を提供する。【構成】内部を排気可能な処理容器と、少なくとも処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し部を有し、ClF3 を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第1のクリーニングガス供給手段とを含む。処理容器を円筒状とし、第1のクリーニングガス供給手段を、処理容器の一方の端から処理容器の内面または中心軸に沿って他方の端まで延在する中空の棒状体とし、その側面に多数の貫通孔を設けてもよい。

Claim (excerpt)：

内部を排気可能な処理容器と、少なくとも前記処理容器内のガスの流れ方向に沿って複数のガス吹き出し口を有し、ClF3 を含むクリーニングガスを処理容器内に導入するための第1のクリーニングガス供給手段とを含む半導体装置の製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 N , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

反応炉内部の残留ハロゲン除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-043524 Applicant：京セラ株式会社
特開平2-001116
特開平2-049425

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Cited by examiner (4)

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