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J-GLOBAL ID：200903042836995848

有機樹脂層の形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 室山 雅和
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326999
Publication number (International publication number)：1998172965
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 有機樹脂層を基体上に形成する場合に、半導体ウェハ等である基体が段差を有するような場合も、下地段差に依存せずに平坦性良く成膜することができ、層間絶縁膜としても有用な有機樹脂層の形成方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基体11上にプラズマ成膜手段により有機樹脂層を形成する際に、プラズマの発生をパルス状に繰り返すことにより成膜する有機樹脂層の形成方法、及びこの有機樹脂層により絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

基体上にプラズマ成膜手段により有機樹脂層を形成する有機樹脂層の形成方法において、プラズマの発生をパルス状に繰り返すことを特徴とする有機樹脂層の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/312 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-320911   Applicant：東京エレクトロン株式会社