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J-GLOBAL ID：200903075494269568

プラズマ成膜方法

Inventor： 赤掘 孝 ,  戸澤 昌紀 ,  内藤 容子 ,  中瀬 りさ ,  横山 敦 ,  石塚 修一 ,  遠藤 俊一 ,  斉藤 正英 ,  青木 武志 ,  平田 匡史
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996320911
Publication number (International publication number)：1998144675
Application date： Nov. 14, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスの層間絶縁膜として有効なCF膜を成膜する方法を提供すること。【解決手段】 成膜ガスとして例えばCn Fm ガス及びCk Hs ガス(m、n、k、sは整数)を用い、例えば電子サイクロトロン共鳴を利用してプラズマを発生させ、載置台3上に比誘電率が3.0以下好ましくは2.5以下のCF膜を成膜する。n、m,k、sは、比誘電率膜の密着性及び硬さを考慮して決定する。CF系ガスとしては二重結合あるいは三重結合のガス、またはCF基がCの4つの結合手に結合しているものが望ましい。更にC、H、Fを含むガス例えばCHF系のガスを添加することが望ましい。

Claim (excerpt)：

少なくともCn Fm ガス及びCk Hs ガス(n、m、k、sは整数)を含む成膜ガスにエネルギーを与えてプラズマ化し、被処理体上にフッ素添加カ-ボン膜を成膜することを特徴とするプラズマ成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フッ素化非晶質炭素膜材料およびその製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-035023   Applicant：日本電気株式会社