マイクロエレクトロニクス構成部材の製造方法及びマイクロエレクトロニクス構成部材

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001253003
Publication number (International publication number)：2002076296
Application date： Aug. 23, 2001
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】有効な水素バリアを簡単な方法で被着した後にコンタクトホールをエッチングできるような方法及びマイクロエレクトロニクス構成部材を提供すること【解決手段】基板(1)に、第1の電極(31)、第2の電極(32)及び前記の電極(31,32)の間の強誘電性又は常誘電性の誘電体(33)を含有するメモリキャパシタ(3)を作成し、メモリキャパシタ(3)上に水素の侵入から保護するバリア(4)を作成するに当たり、バリアの作成の際に、まず酸化ケイ素(41)を作成し、メモリキャパシタ(3)及び酸化ケイ素(41)の少なくとも一部をアニールし、かつアニールされた酸化ケイ素-層(41)上に水素の侵入から保護するバリア層(42)を被着することを特徴とするマイクロエレクトロニクス構成部材の製造方法及び前記製造方法により製造されたマイクロエレクトロニクス構成部材

Claim (excerpt)：

a) 基板(1)に、第1の電極(31)、第2の電極(32)及び前記の電極(31,32)の間の強誘電性又は常誘電性の誘電体(33)を含有するメモリキャパシタ(3)を作成し、a) メモリキャパシタ(3)に水素の侵入から保護するバリア(4)を作成する、マイクロエレクトロニクス構成部材の製造方法において、バリアの作成の際に、まず酸化ケイ素-層(41)を作成し、メモリキャパシタ(3)及び酸化ケイ素-層(41)の少なくとも一部をアニールし、かつアニールされた酸化ケイ素-層(41)上に水素の侵入から保護するバリア層(42)を被着することを特徴とするマイクロエレクトロニクス構成部材の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/105 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (3)：

H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 651

F-Term (15)：

5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA25 , 5F083JA02 , 5F083JA19 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR18 , 5F083PR21 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-055552 Applicant：松下電子工業株式会社

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