シリコンウエーハの製造方法及びそれにより製造されたシリコンウエーハ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004125298
Publication number (International publication number)：2005311025
Application date： Apr. 21, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】ゲッタリング能力が高く、ゲッタリング効果の持続性が長い上、パーティクルの発生が抑制されたシリコンウエーハを、容易にかつ低コストで製造することができるシリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、スライス、面取り、平面研削、及び研磨を行うことによりシリコンウエーハを製造する方法において、前記スライス後のシリコンウエーハの両面に対し、平面研削後、エッチングを行わずに研磨を行うものであって、裏面側に対しては、表面側の平面研削よりも番手の小さい砥石により平面研削を行い、かつ、表面側の研磨よりも取り代の少ないライト研磨を行うことにより、前記裏面側の平面研削により生じた加工歪みを残すことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも、スライス、面取り、平面研削、及び研磨を行うことによりシリコンウエーハを製造する方法において、前記スライス後のシリコンウエーハの両面に対し、平面研削後、エッチングを行わずに研磨を行うものであって、裏面側に対しては、表面側の平面研削よりも番手の小さい砥石により平面研削を行い、かつ、表面側の研磨よりも取り代の少ないライト研磨を行うことにより、前記裏面側の平面研削により生じた加工歪みを残すことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L21/304 , B24B7/22

FI (3)：

H01L21/304 611Z , H01L21/304 631 , B24B7/22 Z

F-Term (2)：

3C043BB00 , 3C043CC04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特許3274810号公報

Cited by examiner (3)

半導体ウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-140108 Applicant：コマツ電子金属株式会社
特開昭54-004064
半導体基板とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-092762 Applicant：住友金属工業株式会社

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