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J-GLOBAL ID：200903042931639722

浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
島田 喬

About 島田 喬


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035478
Publication number (International publication number)：1995221208
Application date： Feb. 08, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 データを書き込む際に浮遊ゲートから制御ゲートへキャリアが引き抜かれることを防止し、且つデータを読み出す際に消去状態であると誤認されることを防止する。【構成】 書き込み電圧が低くても、閾値電圧の低いチャネル領域21aでデータの書き込みを行うことができる。一方、チャネル領域21aは、閾値電圧の高いチャネル領域21bとソース12/ドレイン13間で直列に配置されているので、データの過消去によってチャネル領域21aがデプレション型になっても、チャネル領域21bをエンハンスメント型にしてメモリセルをエンハンスメント型にすることができる。
Claim (excerpt)：
浮遊ゲートが制御ゲートに容量結合され、半導体基板中のチャネルからゲート絶縁膜を介して前記浮遊ゲートへキャリアを注入することによってデータを書き込み、前記浮遊ゲートから前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体基板へ前記キャリアを引き抜くことによって前記データを消去する浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置において、前記浮遊ゲートに前記キャリアが注入されていない状態における閾値電圧が互いに異なる複数の領域からチャネル領域が成っていることを特徴とする浮遊ゲート型不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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