半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994110566
Publication number (International publication number)：1995297324
Application date： Apr. 25, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】良好な光学的特性を有しかつ生産性の良い半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】基板1とその基板1上に搭載された半導体素子3とそれら基板1と半導体素子3とを一体に封止する封止部4とからなる半導体装置において、上記封止部4を、チクソ性樹脂からなりかつ半導体素子3を囲む状態で所定の高さに形成された樹脂ダム8と、その樹脂ダム8内で半導体素子3を覆う状態に充填された光透過性樹脂9からなるようにする。

Claim (excerpt)：

基板と、その基板上に搭載された半導体素子と、前記基板と前記半導体素子とを一体に封止する封止部とからなる半導体装置において、前記封止部は、チクソ性樹脂からなりかつ前記半導体素子を囲む状態で所定の高さに形成された樹脂ダムと、該樹脂ダム内で前記半導体素子を覆う状態に充填された光透過性樹脂とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/28 , H01L 21/56 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (2)：

H01L 23/30 B , H01L 23/30 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭62-253315
特開昭64-011354
特開平1-300531

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